IRF7862TRPBF

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IRF7862TRPBF

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Numéro de pièce：

IRF7862TRPBF

Modèle alternatif：

SI4126DY-T1-GE3 , IRF8788TRPBF , IRF7424TRPBF , MP5087GG-Z , IRF7831TRPBF , IRF9310TRPBF , IRF7855TRPBF , NTR4101PT1G , GP2S+ , ROB-09107 , 1053121106 , IRF7316TRPBF , NTS4001NT1G , IRF540NSTRLPBF , MMSD4148T1G , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED24427N01FXUMA1 , IRS2007STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , ROB-09107

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

RoHS：

YES

：

IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF

IRF7862TRPBF Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur：

8-SO

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Dissipation de puissance (maximum)：

2.5W (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.35V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

45 nC @ 4.5 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

21A (Ta)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4090 pF @ 15 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：17611

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

4000

0.54

2160

8000

0.52

4160

12000

0.48

5760

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