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Détails du produit
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Numéro de pièce:
IRFS3607TRLPBF
Modèle alternatif:
IRFS3607PBF , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , IRFS3206TRRPBF , IXFT120N25X3HV , STPS8H100G-TR , IRFS3307ZTRLPBF , TL2575HV-ADJIKTTR , LM50BIM3/NOPB , IRFR3607TRPBF , IPB083N10N3GATMA1 , IRF1018ESTRLPBF , IRFS4010TRLPBF , IRFS3806TRLPBF , IRFR5305TRPBF , CSE186L , LP2986AIMX-3.3/NOPB , IRFB3607PBF
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products
>
Transistors
>
FETs, MOSFETs
>
Single FETs, MOSFETs
>
Description:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
RoHS:
YES
:
IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur:
D2PAK
Tension drain-source (Vdss):
75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
80A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
84 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
140W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 100µA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 46A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
3070 pF @ 50 V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:25441
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
800
0.9
720
1600
0.74
1184
2400
0.69
1656
5600
0.66
3696
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