IRF1018ESTRLPBF

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IRF1018ESTRLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

Numéro de pièce：

IRF1018ESTRLPBF

Modèle alternatif：

IRF1018ESPBF , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , MEM1608D201RT001 , IRFS3806TRLPBF , IPL1-102-01-L-S-K , BAT-HLD-001-THM , FXL6408UMX , 693071030811 , HUF75545S3ST , 742C083473JP , AP2202K-ADJTRG1 , KSC221JLFS , BMP581 , TXU0101DCKR , MAX3232EESE+ , ADS1014IRUGT , MCP1801T-0902I/OT

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

RoHS：

YES

：

IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur：

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)：

110W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

79A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

69 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

8.4mOhm @ 47A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 100µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2290 pF @ 50 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：10425

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

800

0.95

760

1600

0.77

1232

2400

0.73

1752

5600

0.69

3864

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