IRFS3306TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Numéro de pièce:
IRFS3306TRLPBF
Modèle alternatif:
IRFS3306PBF  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1EDI60N12AFXUMA1  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1  ,  IRFS4010TRLPBF  ,  IR2184SPBF  ,  TZM5252B-GS08  ,  IRFR5505TRPBF  ,  SMBJ5365B-TP  ,  SMD100F-2  ,  IPB027N10N3GATMA1  ,  T60405R6123X263  ,  IRF2805STRLPBF  ,  MBRB20H100CTT4G  ,  AUIRS21811STR  ,  IRF1405STRLPBF  ,  IRFS3006TRLPBF  ,  IRFS3206TRRPBF  ,  FDB024N06
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
RoHS:
YES
IRFS3306TRLPBF Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
120A (Tc)
Tension drain-source (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur:
D2PAK
Dissipation de puissance (maximum):
230W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
120 nC @ 10 V
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 150µA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
4.2mOhm @ 75A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
4520 pF @ 50 V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:7656
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
800
1.68
1344
1600
1.43
2288
2400
1.36
3264
5600
1.31
7336
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