APTM120DA30T1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Numéro de pièce：
APTM120DA30T1G
Fabricant：
Roving Networks (Microchip Technology)
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
RoHS：
YES
APTM120DA30T1G Spécifications
Type de montage：
Chassis Mount
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±30V
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
560 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
31A (Tc)
Colis/Caisse：
SP1
Package d'appareil du fournisseur：
SP1
Dissipation de puissance (maximum)：
657W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
360mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
14560 pF @ 25 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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