APTM10UM01FAG

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APTM10UM01FAG

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Numéro de pièce：

APTM10UM01FAG

Modèle alternatif：

SQJQ140E-T1_GE3 , SQJQ160E-T1_GE3 , MMIX1F520N075T2 , XPQR3004PB , LXHQ , IXTN660N04T4 , GE12160CEA3

Fabricant：

Roving Networks (Microchip Technology)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

RoHS：

YES

：

APTM10UM01FAG APTM10UM01FAG APTM10UM01FAG APTM10UM01FAG APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Température de fonctionnement：

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Vgs (Max)：

±30V

Package d'appareil du fournisseur：

SP6

Colis/Caisse：

SP6

Dissipation de puissance (maximum)：

2500W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

860A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

1.6mOhm @ 275A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 12mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

2100 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

60000 pF @ 25 V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

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