APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Numéro de pièce：
APTM10DAM02G
Fabricant：
Roving Networks (Microchip Technology)
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
RoHS：
YES
APTM10DAM02G Spécifications
Type de montage：
Chassis Mount
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±30V
Dissipation de puissance (maximum)：
1250W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
SP6
Colis/Caisse：
SP6
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 10mA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
495A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
40000 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
2.5mOhm @ 200A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
1360 nC @ 10 V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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