APTM100H80FT1G
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Numéro de pièce：
APTM100H80FT1G
Fabricant：
Microsemi Corporation
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
RoHS：
NO
APTM100H80FT1G Spécifications
Type de montage：
Chassis Mount
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 1mA
Configuration：
4 N-Channel (Full Bridge)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
150nC @ 10V
Colis/Caisse：
SP1
Package d'appareil du fournisseur：
SP1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
11A
Tension drain-source (Vdss)：
1000V (1kV)
Puissance - Max：
208W
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
960mOhm @ 9A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3876pF @ 25V
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