FGA25N120FTD
IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Numéro de pièce：
FGA25N120FTD
Fabricant：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT 1200V 50A 313W TO3P
RoHS：
NO
FGA25N120FTD Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
50 A
Type IGBT：
Trench Field Stop
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3P
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Type d'entrée：
Standard
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
75 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
2V @ 15V, 25A
Puissance - Max：
313 W
Frais de porte：
160 nC
Condition de test：
600V, 25A, 15Ohm, 15V
Changer d'énergie：
340µJ (on), 900µJ (off)
Td (marche/arrêt) à 25°C：
48ns/210ns
Temps de récupération inversée (trr)：
770 ns
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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