NTLJS4114NT1G

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NTLJS4114NT1G

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

Numéro de pièce：

NTLJS4114NT1G

Modèle alternatif：

NSVBAS21HT1G , NTLJS4114NTAG , SZMM5Z6V2T1G , NCV8705MTADJTCG , FDMS3669S , NRVTS560EMFST1G , IP4220CZ6 , 125 , LT8609SIV#PBF , NLAS4157DFT2G , SNUF6401MNT1G , DTC124EM3T5G , MAX14783EATA+T , CM3440Z171R-10 , NCP705MTADJTCG , NTTFS4C02NTAG

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

RoHS：

YES

：

NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G

NTLJS4114NT1G Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

6-WDFN Exposed Pad

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs (Max)：

±12V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Dissipation de puissance (maximum)：

700mW (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

13 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

650 pF @ 15 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3.6A (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

6-WDFN (2x2)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

35mOhm @ 2A, 4.5V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：7259

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.4

1200

6000

0.37

2220

9000

0.34

3060

30000

0.34

10200

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