NTGS3136PT1G

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NTGS3136PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

Numéro de pièce：

NTGS3136PT1G

Modèle alternatif：

NTMFS0D7N03CGT1G , IRLTS2242TRPBF , NTR3C21NZT1G , NTGS3443T1G , BAT54LT1G , BSS138 , SBC807-40WT1G , CDNBS08-T15C , D1213A-04MR-13 , DMN2004WK-7 , NJT4031NT1G , BAT120C , 115 , CR2032 , SMAJ5.0A-13-F , FDN352AP

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

RoHS：

YES

：

NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±8V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

29 nC @ 4.5 V

Dissipation de puissance (maximum)：

700mW (Ta)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3.7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

33mOhm @ 5.1A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1901 pF @ 10 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2671

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.39

1170

6000

0.36

2160

9000

0.34

3060

30000

0.33

9900

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