NTD4860N-1G

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NTD4860N-1G

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK

Numéro de pièce：

NTD4860N-1G

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK

RoHS：

：

NTD4860N-1G NTD4860N-1G NTD4860N-1G NTD4860N-1G

NTD4860N-1G Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Tension drain-source (Vdss)：

25 V

Package d'appareil du fournisseur：

IPAK

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

7.5mOhm @ 30A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.28W (Ta), 50W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

16.5 nC @ 4.5 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

10.4A (Ta), 65A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1308 pF @ 12 V

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