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NTD4857NT4G

MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK

Numéro de pièce：

NTD4857NT4G

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK

RoHS：

：

NTD4857NT4G NTD4857NT4G NTD4857NT4G NTD4857NT4G

NTD4857NT4G Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur：

DPAK

Tension drain-source (Vdss)：

25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

24 nC @ 4.5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

5.7mOhm @ 30A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

12A (Ta), 78A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1960 pF @ 12 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.31W (Ta), 56.6W (Tc)

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