NTD4806NAT4G
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Numéro de pièce：
NTD4806NAT4G
Fabricant：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
RoHS：
NO
NTD4806NAT4G Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur：
DPAK
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
23 nC @ 4.5 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 30A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2142 pF @ 12 V
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