NTD4806N-35G

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NTD4806N-35G

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

Numéro de pièce：

NTD4806N-35G

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

RoHS：

：

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NTD4806N-35G Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Package d'appareil du fournisseur：

IPAK

Colis/Caisse：

TO-251-3 Stub Leads, IPAK

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 11.5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

23 nC @ 4.5 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11.3A (Ta), 79A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

6mOhm @ 30A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2142 pF @ 12 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.4W (Ta), 68W (Tc)

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