IPD135N03LGXT

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IPD135N03LGXT

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Numéro de pièce：

IPD135N03LGXT

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

RoHS：

NO

：

IPD135N03LGXT IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.2V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

30A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

10 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)：

31W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1000 pF @ 15 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

13.5mOhm @ 30A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.24

600

5000

0.23

1150

12500

0.22

2750

25000

0.21

5250

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