FDA33N25

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FDA33N25

MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN

Numéro de pièce：

FDA33N25

Modèle alternatif：

FQA40N25 , XC3S100E-4TQG144C , XC3S50AN-4TQG144C

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN

RoHS：

YES

：

FDA33N25 FDA33N25 FDA33N25 FDA33N25 FDA33N25 FDA33N25 FDA33N25 FDA33N25 FDA33N25

FDA33N25 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Tension drain-source (Vdss)：

250 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Dissipation de puissance (maximum)：

245W (Tc)

Colis/Caisse：

TO-3P-3, SC-65-3

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

33A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2200 pF @ 25 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-3PN

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

46.8 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

94mOhm @ 16.5A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2433

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

3.06

3.06

30

2.42

72.6

120

2.08

249.6

510

1.85

943.5

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