SI6463BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Numéro de pièce：
SI6463BDQ-T1-E3
Modèle alternatif：
SI6913DQ-T1-GE3 , TMS320C6713BZDP225
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
RoHS：
YES
SI6463BDQ-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareil du fournisseur：
8-TSSOP
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Type FET：
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
800mV @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6.2A (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 5 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
15mOhm @ 7.4A, 4.5V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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