SI4511DY-T1-E3

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SI4511DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Numéro de pièce：

SI4511DY-T1-E3

Modèle alternatif：

DMC2020USD-13

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

RoHS：

YES

：

SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration：

N and P-Channel

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.8V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

20V

Puissance - Max：

1.1W

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

18nC @ 4.5V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

7.2A, 4.6A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

14.5mOhm @ 9.6A, 10V

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