SI2305DS-T1-E3

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SI2305DS-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Numéro de pièce：

SI2305DS-T1-E3

Modèle alternatif：

SI2305CDS-T1-GE3 , B340A-13-F , NTR2101PT1G , BAT54ALT1G , NSR0130P2T5G , FDN306P , IRLML2244TRPBF , NX7002AK , 215 , TLV75725PDBVR , CDSOT23-SM712 , SMMBT3904LT1G , IRLML6401TRPBF

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

RoHS：

YES

：

SI2305DS-T1-E3 SI2305DS-T1-E3 SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Type FET：

P-Channel

Colis/Caisse：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-23-3 (TO-236)

Tension drain-source (Vdss)：

8 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

800mV @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3.5A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

15 nC @ 4.5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

52mOhm @ 3.5A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1245 pF @ 4 V

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