SUM40N10-30-E3

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SUM40N10-30-E3

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

Numéro de pièce：

SUM40N10-30-E3

Modèle alternatif：

SUM60N10-17-E3 , LM5050MK-1/NOPB , LM5050Q0MK-1/NOPB , LM5050Q0MKX-1/NOPB , RGS30TSX2HRC11 , BAT54-7-F , PHB47NQ10T , 118 , LM5050Q1MK-1/NOPB , CAT24C208WI-GT3 , SMBJ60A , RUM001L02T2CL , LM5050MK-1EVAL/NOPB , LM5050MK-2/NOPB , LM5050MKX-1/NOPB , BUK9629-100B , 118

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

RoHS：

YES

：

SUM40N10-30-E3

SUM40N10-30-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

40A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263 (D2PAK)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2400 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

60 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

30mOhm @ 15A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.75W (Ta), 107W (Tc)

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