SI9926BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8SOIC
Numéro de pièce：
SI9926BDY-T1-E3
Modèle alternatif：
VI-J63-CW
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8SOIC
RoHS：
YES
SI9926BDY-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur：
8-SOIC
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET：
Logic Level Gate
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss)：
20V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
20nC @ 4.5V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6.2A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Puissance - Max：
1.14W
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