SI9435BDY-T1-E3

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SI9435BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO

Numéro de pièce：

SI9435BDY-T1-E3

Modèle alternatif：

MAX774CSA+ , SI9435BDY-T1-GE3 , TPS7A8400RGRT , MAX786CAI+ , LMK61A2-100M00SIAT , TCA9517ADGKR , TPS7A2009PDBVR , SIRA14BDP-T1-GE3 , LSF0108RKSR , LC78_05-3.0 , FDG6332C , SKRPACE010 , 1N5822 , ASP-134488-01 , ADM3202ARUZ

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO

RoHS：

YES

：

SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

24 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.3W (Ta)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

4.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

42mOhm @ 5.7A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：14010

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.39

975

5000

0.37

1850

12500

0.35

4375

25000

0.35

8750

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