SI8409DB-T1-E1

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SI8409DB-T1-E1

MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT

Numéro de pièce：

SI8409DB-T1-E1

Modèle alternatif：

ABS05-32.768KHZ-9-T , LT1638IDD#TRPBF , M2GL060T-FGG484I , ADM803SAKSZ-REEL , LTC1864LIMS8#PBF , TPS62140RGTR , OMAPL138EZCEA3 , MIC23030-GYMT-TR , PBHV8515QAZ , FM22LD16-55-BG , ADP151ACPZ-1.8-R7 , SIS407DN-T1-GE3 , MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A , ADG1606BCPZ-REEL7 , ECS-2033-240-BN

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT

RoHS：

YES

：

SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)：

±12V

Package d'appareil du fournisseur：

4-Microfoot

Colis/Caisse：

4-XFBGA, CSPBGA

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

26 nC @ 4.5 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.47W (Ta)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

4.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

46mOhm @ 1A, 4.5V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：9088

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.48

1440

6000

0.46

2760

9000

0.44

3960

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