SI8405DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
Numéro de pièce：
SI8405DB-T1-E1
Modèle alternatif：
SI8425DB-T1-E1
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
RoHS：
YES
SI8405DB-T1-E1 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Package d'appareil du fournisseur：
4-Microfoot
Colis/Caisse：
4-XFBGA, CSPBGA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
3.6A (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
21 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (maximum)：
1.47W (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
55mOhm @ 1A, 4.5V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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