SI7956DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Numéro de pièce：
SI7956DP-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
RoHS：
YES
SI7956DP-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET：
Logic Level Gate
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max：
1.4W
Colis/Caisse：
PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareil du fournisseur：
PowerPAK® SO-8 Dual
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
26nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss)：
150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2.6A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
105mOhm @ 4.1A, 10V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：3916
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
3000
1.64
4920
6000
1.57
9420
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