SI7898DP-T1-E3

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SI7898DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7898DP-T1-E3

Modèle alternatif：

TCMT1107 , SMAJ58A-13-F , SI7898DP-T1-GE3 , SP0402B-ULC-01ETG , MI1206L501R-10 , BAV99-7-F , SIR622DP-T1-RE3 , 2N7002DW-7-F , 2199119-8 , BSC160N15NS5ATMA1 , 5016 , PC357N4J000F , PEC02SAAN , SIR464DP-T1-GE3 , MBR0530T1G

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

21 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3A (Ta)

Tension drain-source (Vdss)：

150 V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)：

1.9W (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

85mOhm @ 3.5A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：17809

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.87

2610

6000

0.84

5040

9000

0.81

7290

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