SI7892BDP-T1-E3

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SI7892BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7892BDP-T1-E3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

40 nC @ 4.5 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.8W (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

15A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4.2mOhm @ 25A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

3775 pF @ 15 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：10156

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.9

2700

6000

0.87

5220

9000

0.85

7650

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