SI7872DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
Numéro de pièce：
SI7872DP-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
RoHS：
YES
SI7872DP-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET：
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)：
30V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Puissance - Max：
1.4W
Colis/Caisse：
PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareil du fournisseur：
PowerPAK® SO-8 Dual
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
11nC @ 4.5V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
22mOhm @ 7.5A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6.4A
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