SI7858ADP-T1-E3

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SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7858ADP-T1-E3

Modèle alternatif：

SI7858ADP-T1-GE3 , SIRA04DP-T1-GE3 , SI7858BDP-T1-GE3 , SRV05-4.TCT , SI4864DY-T1-GE3 , DMN22M5UFG-7 , DMN1004UFDF-7

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Tension drain-source (Vdss)：

12 V

Vgs (Max)：

±8V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.5V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

20A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.9W (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

80 nC @ 4.5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2.6mOhm @ 29A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5700 pF @ 6 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：6650

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.31

3930

6000

1.27

7620

9000

1.22

10980

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