SI7852DP-T1-E3

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SI7852DP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7852DP-T1-E3

Modèle alternatif：

SI7852DP-T1-GE3 , FDMS3572 , SI2325DS-T1-E3 , STM32F405RGT6 , 5016 , B1100-13-F , BSC094N06LS5ATMA1 , XC2365A104F80LRABKXUMA1 , 750311320 , SIS413DN-T1-GE3 , SIR680LDP-T1-RE3 , LT1963AES8#TRPBF , RS1G300GNTB , SI4435DDY-T1-GE3 , DFN51120

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7852DP-T1-E3 SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

80 V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

7.6A (Ta)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 250µA (Min)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.9W (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

41 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

16.5mOhm @ 10A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：11450

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.19

3570

6000

1.14

6840

9000

1.11

9990

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