SI7850DP-T1-E3

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SI7850DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7850DP-T1-E3

Modèle alternatif：

LM5116MHX/NOPB , SI7850DP-T1-GE3 , CSD18540Q5B , TPS62132RGTR , LM3150MH/NOPB , FDD86102LZ , SI7850ADP-T1-GE3 , SI7456DP-T1-E3 , GSD2004S-E3-08 , SIJ462ADP-T1-GE3 , MMBD1403 , RB088BGE-40TL , IN-S63AT5G , LT3758AEMSE#PBF , SMP100LC-270 , CDSOD323-T12LC

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Dissipation de puissance (maximum)：

1.8W (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6.2A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

27 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

22mOhm @ 10.3A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：11369

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.96

2880

6000

0.91

5460

9000

0.89

8010

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