SI7846DP-T1-E3

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SI7846DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7846DP-T1-E3

Modèle alternatif：

CMPD2838 TR PBFREE , SI7846DP-T1-GE3 , ZXMN10B08E6TA , P8208NL , BZX84J-C15 , 115 , DAMC-7H2P-J-K87 , SI7898DP-T1-E3 , FDMS86252 , PBSS9410PA , 115 , BAS70-04-7-F , BSC360N15NS3GATMA1 , PBSS8510PA , 115 , BAS16-7-F , SRF1260-100M , ZVN3320FTA

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

150 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

4A (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

36 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

50mOhm @ 5A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.9W (Ta)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：18496

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.17

3510

6000

1.12

6720

9000

1.09

9810

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