SI7469DP-T1-E3

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SI7469DP-T1-E3

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7469DP-T1-E3

Modèle alternatif：

SI7469DP-T1-GE3 , 742792118 , SI7489DP-T1-E3 , SI7461DP-T1-GE3 , DMT8012LFG-7 , SI7469ADP-T1-RE3 , SQJ479EP-T1_GE3 , SI7461DP-T1-E3 , DLW21SN121SQ2L , LTST-C194KGKT , BAT46W-E3-08 , LTST-C191KGKT , SQJ479EP-T1_BE3 , RF05VYM1SFHTR , LTV-356T

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3

SI7469DP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

80 V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

28A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

160 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4700 pF @ 40 V

Dissipation de puissance (maximum)：

5.2W (Ta), 83.3W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

25mOhm @ 10.2A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：5442

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.28

3840

6000

1.22

7320

9000

1.19

10710

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