SI7464DP-T1-E3

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SI7464DP-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7464DP-T1-E3

Modèle alternatif：

BSC22DN20NS3GATMA1 , BSC320N20NS3GATMA1 , SI2374DS-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7464DP-T1-E3 SI7464DP-T1-E3

SI7464DP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

18 nC @ 10 V

Tension drain-source (Vdss)：

200 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.8W (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

1.8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

240mOhm @ 2.8A, 10V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.9

2700

6000

0.87

5220

9000

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7560

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