SI7463DP-T1-E3

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SI7463DP-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7463DP-T1-E3

Modèle alternatif：

SI7463DP-T1-GE3 , 2301826-2 , SI7463ADP-T1-GE3 , 1.5SMC51A-E3/57T , VS-10MQ100HM3/5AT , SQJ465EP-T1_GE3 , SQ2318AES-T1_GE3 , 3413.0224.22 , ASP-134604-01 , SIR470DP-T1-GE3 , 0878321420 , TFM-120-01-S-D-WT , 742792025 , VS-30BQ040-M3/9AT , FDV301N

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3

SI7463DP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.9W (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

140 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

9.2mOhm @ 18.6A, 10V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：12321

Quantité

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3000

1.41

4230

6000

1.35

8100

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