SI7415DN-T1-E3

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SI7415DN-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

Numéro de pièce：

SI7415DN-T1-E3

Modèle alternatif：

BSS123W-7-F , NTTFS5116PLTAG , SI7121ADN-T1-GE3 , SUM110N10-09-E3 , BLM31KN271SH1L , SI7414DN-T1-E3 , TMP102AIDRLR , BC857BFA-7B , DRQ125-6R8-R , PGB1010603NR , LTC2945IMS#PBF , BZX384-B15 , 115 , LT8334RDE#TRPBF , SI4436DY-T1-E3 , PDS760Q-13

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

RoHS：

YES

：

SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3

SI7415DN-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Dissipation de puissance (maximum)：

1.5W (Ta)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

25 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

65mOhm @ 5.7A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：94968

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.76

2280

6000

0.74

4440

9000

0.72

6480

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