SI7336ADP-T1-E3

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SI7336ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7336ADP-T1-E3

Modèle alternatif：

ASDDV-25.000MHZ-LR-T , TPS22958DGNR , LTC4242CUHF#PBF , FBMH2016HM121NT , TPD4E05U06DQAR , BLM15PX471SN1D , MAX7311AUG+ , 750313443 , DMN2056U-7 , SIR818DP-T1-GE3 , 0457180002 , LTC4412ES6#TRMPBF , 0316-0-15-15-34-27-10-0 , BSH108 , 215 , R-78B3.3-1.0L

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3

SI7336ADP-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

3mOhm @ 25A, 10V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

50 nC @ 4.5 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

30A (Ta)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5600 pF @ 15 V

Dissipation de puissance (maximum)：

5.4W (Ta)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：20078

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.86

2580

6000

0.83

4980

9000

0.8

7200

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