SI7113DN-T1-E3

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SI7113DN-T1-E3

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

Numéro de pièce：

SI7113DN-T1-E3

Modèle alternatif：

SI7113DN-T1-GE3 , CPC1114N , SISS71DN-T1-GE3 , BAT43W-E3-08 , CXP-3R0224R-TWX , SI7113ADN-T1-GE3 , INN3166C-H102-TL , DFLS1100-7 , EVP-BK4A1B000 , MMBT2907AWT1G , AO3442 , DMN10H120SFG-13 , UPS5819E3/TR7 , TCMT1107 , PMV280ENEAR

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

RoHS：

YES

：

SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Type FET：

P-Channel

Température de fonctionnement：

-50°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

55 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1480 pF @ 50 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

13.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

134mOhm @ 4A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：18197

Quantité

Prix unitaire

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3000

1.39

4170

6000

1.34

8040

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