SI7108DN-T1-E3

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SI7108DN-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8

Numéro de pièce：

SI7108DN-T1-E3

Modèle alternatif：

LTC4218CGN#PBF , BQ24616RGET , LTST-C194KRKT , AON7522E , 2N7002-7-F , 640456-4 , 0533980471 , 1-2199119-6 , LTC4367HMS8#PBF , RN5VD30CA-TR-FE , PTN3460BS/F2 , 518 , ACM2012-900-2P-T001 , SI4936BDY-T1-E3 , HX5019FNL , TPS7A8001DRBR

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8

RoHS：

YES

：

SI7108DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.5W (Ta)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

14A (Ta)

Vgs (Max)：

±16V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

30 nC @ 4.5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4.9mOhm @ 22A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：17838

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.96

2880

6000

0.91

5460

9000

0.89

8010

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