SI6433BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
Numéro de pièce：
SI6433BDQ-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
RoHS：
YES
SI6433BDQ-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareil du fournisseur：
8-TSSOP
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
4A (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (maximum)：
1.05W (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 4.8A, 4.5V
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Quantité d'emballage standard：1600
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