SI6423DQ-T1-E3

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SI6423DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP

Numéro de pièce：

SI6423DQ-T1-E3

Modèle alternatif：

TFM-130-12-L-D-A-P-TR , FTSH-105-01-F-D-RA-K , 150060VS55040 , ADM1085AKSZ-REEL7 , SI6423DQ-T1-GE3 , SN74LVC1G240DCKR

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP

RoHS：

YES

：

SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3

SI6423DQ-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Package d'appareil du fournisseur：

8-TSSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

12 V

Vgs (Max)：

±8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

8.2A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.05W (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

110 nC @ 5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id：

800mV @ 400µA

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