SI5853DC-T1-E3

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SI5853DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Numéro de pièce：

SI5853DC-T1-E3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

RoHS：

YES

：

SI5853DC-T1-E3 SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±8V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2.7A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.1W (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

1206-8 ChipFET™

Fonctionnalité FET：

Schottky Diode (Isolated)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

7.7 nC @ 4.5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

Colis/Caisse：

8-SMD, Flat Leads

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.87

2610

6000

0.84

5040

9000

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7200

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