SI4850EY-T1-E3

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SI4850EY-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 6A 8SO

Numéro de pièce：

SI4850EY-T1-E3

Modèle alternatif：

SI4850EY-T1-GE3 , MBRS140T3G , SI2325DS-T1-E3 , RFD3055LESM9A , LTST-C191KRKT , BSC093N15NS5ATMA1 , SI7852DP-T1-E3 , IL 715-3 , MOCD211M , SI4840BDY-T1-E3 , BSC160N15NS5SCATMA1 , BLM21BD601SH1D , IRF7240TRPBF , SFM-125-03-L-D-A , BSS138

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 6A 8SO

RoHS：

YES

：

SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.7W (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

27 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

22mOhm @ 6A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：9756

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.85

2125

5000

0.81

4050

12500

0.78

9750

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