SI4800BDY-T1-E3

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SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Numéro de pièce：

SI4800BDY-T1-E3

Modèle alternatif：

DMN4800LSS-13 , STS6NF20V , SI4800BDY-T1-GE3 , OPA2376AIDGKT , OPA2350EA/250 , ZVN3306FTA , LT1800CS5#TRMPBF , SN74LVC1G32DBVR , DAC8534IPW , 0532611071 , TPS79333DBVR

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

RoHS：

YES

：

SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.8V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs (Max)：

±25V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.3W (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

13 nC @ 5 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

18.5mOhm @ 9A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：6254

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.37

925

5000

0.35

1750

12500

0.32

4000

25000

0.32

8000

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