SI4559ADY-T1-E3

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SI4559ADY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC

Numéro de pièce：

SI4559ADY-T1-E3

Modèle alternatif：

FDS4559 , IRF7343TRPBF , 0039299029 , AG6120 , LP2981AIM5-3.3/NOPB , DMG1029SV-7 , 2-406541-1 , RCLAMP3324T.TCT , DMC4047LSD-13 , 0430450425 , AO4612 , MP4570GF-Z , DMC6040SSDQ-13 , LT8646SEV#PBF , SMA6J12A

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC

RoHS：

YES

：

SI4559ADY-T1-E3 SI4559ADY-T1-E3

SI4559ADY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration：

N and P-Channel

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

60V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

58mOhm @ 4.3A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

5.3A, 3.9A

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

20nC @ 10V, 22nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

665pF @ 15V, 650pF @ 15V

Puissance - Max：

3.1W, 3.4W

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：81904

Quantité

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Prix internationaux

2500

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