SI4403BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Numéro de pièce：
SI4403BDY-T1-E3
Modèle alternatif：
SI4403CDY-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
RoHS：
YES
SI4403BDY-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur：
8-SOIC
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
7.3A (Ta)
Dissipation de puissance (maximum)：
1.35W (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 5 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1V @ 350µA
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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