SI4386DY-T1-E3

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SI4386DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Numéro de pièce：

SI4386DY-T1-E3

Modèle alternatif：

ESP32-U4WDH , DMN3007LSSQ-13 , SISA26DN-T1-GE3 , MP3428AGL-Z , AO4430 , PJ-002AH , ABM11W-40.0000MHZ-8-D1X-T3 , SPX1587AT-L-3-3/TR , W25X20CLSNIG , USBLC6-2SC6 , BSC046N02KSGAUMA1 , 2N7002LT1G

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

RoHS：

YES

：

SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

18 nC @ 4.5 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.47W (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

7mOhm @ 16A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4740

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.62

1550

5000

0.58

2900

12500

0.55

6875

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