SI3851DV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
Numéro de pièce：
SI3851DV-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3851DV-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareil du fournisseur：
6-TSOP
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Fonctionnalité FET：
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (maximum)：
830mW (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
1.6A (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
3.6 nC @ 5 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
200mOhm @ 1.8A, 10V
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