SI3590DV-T1-E3

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SI3590DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Numéro de pièce：

SI3590DV-T1-E3

Modèle alternatif：

SI3590DV-T1-GE3 , SI3585CDV-T1-GE3 , SI3552DV-T1-E3 , R1240N001B-TR-FE , SI2333DDS-T1-GE3 , LTC2107CUK#PBF , FDC6333C , SSF3714 , 1091 , MCP6074T-E/SL , BAS16LT3G , MGSF1N02LT1G , STM32F103C8T6 , 1934218-1 , DMG6602SVT-7

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

RoHS：

YES

：

SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration：

N and P-Channel

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)：

30V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.5V @ 250µA

Puissance - Max：

830mW

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

4.5nC @ 4.5V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2.5A, 1.7A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

77mOhm @ 3A, 4.5V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：15262

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.31

930

6000

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2340

30000

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